N-Channel MOSFET
產(chǎn)品描述
SFI50N03AT 采用穩(wěn)先微電子先進(jìn)的高密度溝槽技術(shù)制造，低導(dǎo)通電阻，高雪崩擊穿耐量，可廣泛應(yīng)用于電工工具，鋰電保護(hù)，PD快充和直流無(wú)刷電機(jī)等應(yīng)用。
主要特點(diǎn)
30V, 50A
RDS(ON) = 4.7mΩ (Max.) @ VGS = 10V
RDS(ON) = 10mΩ (Max.) @ VGS = 4.5V
低導(dǎo)通電阻
低柵電荷
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規(guī)格書(shū)
| 文檔名稱 | 文檔描述 | 下載 |
|---|---|---|
| SFI50N03AT_EN_A2 | 472KB |
