內(nèi)部集成等效19mΩ的先進功率MOSFET
超小封裝DFN2x2-6L
過溫保護OTP
充電過電流保護IIOCC
過放可自恢復功能
三段過流保護
- 放電過流保護1 IIOV1
- 放電過流保護2 IIOV2
- 負載短路保護ISHORT
充電器檢測功能
0V 電池充電功能
延遲時間內(nèi)部設(shè)定
防反接功能
高ESD 可靠性能力
高精度電壓檢測
- 常規(guī)精度:±50mV
低靜態(tài)電流
- 正常工作電流:3.0μA
- 待機電流:1.5uA
兼容ROHS 和無鉛標準
文檔名稱 | 文檔描述 | 下載 |
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WSDD08A4Y1N_datasheet_A2 | 251KB |